晶粒內(nèi)部孔洞怎么實(shí)現(xiàn)（晶粒內(nèi)部取向差一般多大）
本文源自:金融界金融界2025年8月18日消息，晶粒晶粒國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，內(nèi)部?jī)?nèi)部安徽晶微科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“解決晶粒內(nèi)線寬均勻性的孔洞方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN120491391A，實(shí)現(xiàn)申請(qǐng)日期為2025年06月專利摘要顯示，差般一種解決晶粒內(nèi)線寬均勻性的晶粒晶粒方法包括步驟：S1，提供兩張光刻流程前的內(nèi)部?jī)?nèi)部產(chǎn)品片；S2，涂膠，孔洞包括子步驟：采用氣相方式在各產(chǎn)品片的實(shí)現(xiàn)表面形成HMDS膜；表面形成HMDS膜的各產(chǎn)品片在冷卻槽中冷卻至勻膠所需的溫度；各產(chǎn)品片在勻膠工藝槽旋涂勻膠，兩產(chǎn)品片各旋涂分辨率不同的差般膠；旋涂勻膠后的各產(chǎn)品片在前烘工藝槽中進(jìn)行前烘；S3，曝光，晶粒晶粒兩張涂膠片采用多個(gè)分布的內(nèi)部?jī)?nèi)部晶粒構(gòu)成晶圓的版圖曝光，以得到兩張曝光片；S4，孔洞顯影，實(shí)現(xiàn)兩張曝光片采用相同顯影條件顯影，差般以得到兩張顯影片；S5，觀察并收集選定晶粒的關(guān)鍵尺寸的線寬，選定晶粒在其多個(gè)區(qū)域內(nèi)收集線寬，確定兩種膠對(duì)晶粒內(nèi)關(guān)鍵尺寸的線寬均勻性的影響并確定光刻流程的批量生產(chǎn)的優(yōu)化參數(shù)和優(yōu)化工藝。
沒(méi)有了
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